8月18日，晶耀芯辉磷化铟光芯片生产基地项目常州签约。

本次签约项目总投资1.2亿元，核心建设3000平方米磷化铟外延、芯片生产线，设计年产能3000万颗光芯片，产线涵盖外延、光刻、刻蚀、镀膜、检测等全流程工艺设备。产品主要应用于AI算力数据中心、高速光通信等领域。

南京晶耀芯辉半导体科技有限公司于2023年10月成立，是一家专业从事高端磷化铟外延和芯片研发生产的企业，核心产品涵盖高速EML激光器芯片（100G、200G）以及用于硅光集成的大功率CW光源芯片（100mW、200mW、400mW）。

（JSSIA整理）