8月29日，微博“长鑫存储”发布消息称，长鑫LPDDR6内存正式量产。

此次量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb，封装芯片容量达16GB，遵循JEDEC LPDDR6标准，采用1295 Ball FBGA全新封装,峰值速率达12800Mbps，功耗相比上一代的LPDDR5X降低了20%。

在设计方面，长鑫LPDDR6采用双子通道架构，常规模式下配置24bit原生I/O，其高速接口支持每路信号引脚独立调校预加重（pre-emphasis）、信号均衡（DFE）参数，配合智能训练机制，充分保障高速传输下的信号准确性与运行稳定性。

在能效管理方面，LPDDR6采用了双轨DVFS的设计，该设计提供了硬件层面的电压分离能力。同时，LPDDR6也引入动态效率模式，实现策略调度。这些功能支持LPDDR6在不同负载下始终保持最佳能效比，为兼顾高算力与长续航的移动设备提供了灵活的内存支撑。

在可靠性方面，LPDDR6在原有Link ECC、On Die ECC基础上，新增每行激活计数（PRAC）防止行锤攻击，以及内建自测试（MBIST）等功能，以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。

在封装方面，此次后道封装采用的是1295 Ball的FBGA封装。在塑封环节长鑫采用了高导热型High K EMC（高导热环氧塑封料）对芯片整体进行包覆保护，可使颗粒热阻下降40%左右，大幅改善LPDDR6高负载运行时的热量导出效率，充分保障颗粒性能稳定发挥。

当下，高性能、低功耗内存需求持续增长。LPDDR6作为最新一代低功耗高速率产品，未来落地场景涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。

（JSSIA整理）