第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）期间，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布推出多款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、金属薄膜沉积及碳化硅外延等领域。

刻蚀设备：Primo XD-RIE

据介绍，该设备采用全新自研工艺气体架构。具备多级脉冲功能的大功率高频射频电源，搭配可调波形大功率直流偏压电源，低温刻蚀系统全方位优化刻蚀精度与刻蚀效率，大幅拓宽工艺适配窗口。

在核心硬件设计上，设备采用耐低温、高击穿电压的高性能静电吸盘，同时搭载4区磁线圈聚焦的等离子体分布调节组件与等离子体边缘鞘层主动调节技术，结合耐强腐蚀性气体的专用腔体结构，能够适配极端、高精度的严苛工艺工况，保障设备长期稳定、高效运行，大幅提升量产可靠性。

PECVD系列设备：Performo QuaStar系列

Performo QuaStar®是中微公司全新研发的先进PECVD系列设备。该系列首款产品Performo QuaStar ON，直面3D闪存制造中的氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺。该设备配有四个反应腔，每个反应腔配备4个反应台，单系统最多可同时处理16片晶圆，在单位面积产出与综合运营成本方面均展现出显著优势。

Performo QuaStar® GE，则将视野扩展至存储与逻辑芯片制造中广泛使用的硅基PECVD介质薄膜品类，涵盖氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅等多种材料体系。该设备同样采用4反应台单腔配置，单系统可同时沉积最多12片晶圆。4个反应台之间以物理隔离方式布局，配合高度对称的腔体设计，使得每片晶圆都能置身于高度一致的工艺环境中，保证了沉积薄膜的一致性。

原子层沉积金属钼设备：Prefima Unicore AM

Prefima Unicore AM是中微公司自主研发的12英寸原子层沉积金属钼设备，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺打造。

该产品在继承上一代ALD W成熟架构的基础上，独创了小尺寸紧凑型反应布局，以四反应台配置在单位设备面积产能上实现了显著跃升。其搭载的高速气体切换系统能够以毫秒级精度掌控原子层沉积的每一个工艺周期，从而兼顾优异的台阶覆盖率与低电阻特性。前驱体分气系统的引入，有效消除了反应台之间的速率偏差；而固态源温控梯度的自主突破，则为连续批量生产条件下的工艺一致性提供了可靠保障。

一体化薄膜沉积系统：Preforma Uniflash SPTi/TiN

Preforma Uniflash金属硅化物集成系统，是中微公司面向12英寸先进节点自主研发的一体化薄膜沉积系统。该系统将原位高选择性前清洁、等离子体增强化学气相沉积金属钛，以及原子层沉积氮化钛三类核心工艺模块集于一体，能够有力支撑先进逻辑与存储器件在金半接触、保护层及衬垫层、电容电极等关键环节的制造需求。在平台设计上，该系统沿用了中微公司标志性的双反应台架构，最多可集成五个双反应台工艺腔（共计十个反应台）。

泛半导体拓展：PRISMO PDS8

PRISMO PDS8是中微公司面向碳化硅外延工艺推出的新型高温生长设备。该设备基于公司在氮化镓外延MOCVD领域多年的技术积淀，并深度融合了市场与客户需求。硬件方面，设备最多可配置四个反应腔，支持四片8英寸外延片同时加工。其垂直反应器采用自主知识产权设计，兼具优异的厚度和掺杂均匀性与长维护周期；符合SEMI标准的片盒到片盒传送系统，兼顾了高可靠性运行与低颗粒污染物控制。在工艺控制层面，设备集成实时温度监测系统与基于模型的高精度温控算法，可实现外延生长温度的精准调控。

（JSSIA整理）