2026年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布（简称“G5平台”）实现量产。

据长鑫存储披露，G5平台依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，存储密度实现跨越式提升——每片晶圆产出裸片（8Gb颗粒基准）数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

此外，本次大会该公司还同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。

长鑫存储表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。

（JSSIA整理）