9月20日消息，山东国镓晶谷半导体科技有限公司（简称“国镓晶谷”）宣布，公司已实现2英寸、4英寸（001）零孪晶氧化镓衬底稳定批量生产；6英寸（001）主面零孪晶氧化镓单晶研制取得重大产业化突破，进入小批量供货阶段。

全球主流的氧化镓单晶制备路线，包括导模法(EFG)、垂直布里奇曼法(VB)、悬浮区熔法以及HVPE异质外延等。在所有路线中，导模法(EFG)是唯一具备规模化产业化潜力的(001)零孪晶制备路径。然而，(001)晶向晶体各向异性极强，生长过程极易滋生孪晶缺陷、产生热应力开裂，大尺寸零孪晶衬底长期被海外企业技术封锁，是行业公认的技术难题。

本次6英寸零孪晶单晶依托国镓晶谷自研的氧化镓孪晶与典型缺陷抑制技术、AI智能晶体生长批量管控技术，采用迭代优化后的导模法（EFG）完成晶体拉制，实现（001）定向主面全片零孪晶成型。

国镓晶谷表示，下一步将持续优化6英寸氧化镓衬底良率，推进精准掺杂、同质外延配套技术研发，打通单晶长晶、衬底切割抛光全链条，加速推进氧化镓功率器件验证，补齐国内超宽禁带半导体上游衬底短板。

（JSSIA整理）