9月27日消息，高塔（Tower Semiconductor）近期表示，计划投资约40亿美元扩充日本工厂硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应AI基础设施快速增长的需求。

高塔表示，这项投资将分成两阶段。第一阶段是将新潟县荒井闲置的Fab 6转成300mm制程的硅光子与先进光学封装厂，同时提升富山县鱼津Fab 7的SiGe（硅锗）与SiPho（硅光子）产能。高塔预估，此阶段可在2027年第四季达全面量产准备。

第二阶段是Fab 7旁新建另1座300mm晶圆厂，放大SiGe EIC与SiPho PIC产能。Tower表示，这座新厂将与既有产线形成互补，让日本据点同时具备元件制造与光学引擎组装能力，并为后续导入共封装光学（CPO）铺路。

资金安排方面，高塔投资30亿美元，日本经济产业省补助10亿美元，合计约40亿美元。

高塔估算计划完成后，日本产能到2029年将提升至每月4.5万片300mm晶圆，约为2025年水平的40倍。公司也预计新增约200名员工，并指出这项扩张将有助于强化日本在AI相关基础设施供应链的地位。

（JSSIA整理）