10月10日，在第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士技披露了在DRAM器件、4F² DRAM架构研发等方面取得的进展，预计年底将推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

据介绍，目前DRAM行业内主流的架构是6F²架构。6F²是衡量DRAM存储单元面积的一个核心指标。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内的晶体管数量会增多，同面积存储密度可提升30%至50%。

曹堪宇介绍，4F²架构最核心的特色是在DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自研的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG晶体管采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。

此次演讲未提及长鑫即将推出的DDR5 RDIMM的规格信息和具体发布时间。

（JSSIA整理）