JSSIA

第三代半导体

氮化镓组件将为功率半导体市场带来一阵春风【2015-10-09】
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET 【2015-06-26】
中航（重庆）微电子研制成功8英寸600V硅基氮化镓功率器件【2015-03-09】
中国成功研制国产6英寸碳化硅晶片【2015-01-13】
SiC功率半导体将在2016年形成市场【2014-08-06】

首页上页共有221条记录/每页18条第13/13页